薄膜太陽能電池作為新能源儲能電池是很有發展前景的，隨著電池技術的發展，現在薄膜太陽能電池怎么樣呢？下面就不同類型的薄膜太陽能電池做優缺點對比，讓大家能更好的了解這類電池好不好。

砷化鎵薄膜太陽能電池

GaAs屬于III-V族化合物半導體材料，其能隙為1.4eV，正好能高吸收率太陽光的值，與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫，在250℃的條件下，光電轉換性能仍很良好，其最高光電轉換效率約30%，特別適合做高溫聚光薄膜太陽能電池。砷化擦生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鋒需要采用磊晶技術制造，這種磊晶圓的直徑通常為4-6英寸，比硅晶圓的12英寸要小得多。磊晶圓需要特殊的機臺，同時砷化擦原材料成本高出硅很多，最終導致砷化擦成品IC成本比較高。磊晶目前有兩種，一種是化學的MoCVD，一種是物理的MBE。GaAs等III-V化合物薄膜電池的制備主要采用MOVPE和LPE技術，其中MOVPE方法制備GaAs薄膜電池受襯底位錯，反應壓力，III-V比率，總流量等諸多參數的影響。GaAs（砷化鎊）光電池大多采用液相外延法或MOCVD技術制備。用GaAs作襯底的光電池效率高達29.5%（一般在19.5%左右），產品耐高溫和輻射，但生產成本高，產量受限，目前主要作空間電源用。以硅片作襯底，MOCVD技術異質外延方法制造GaAs電池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化密系列太陽電池有單晶砷化擦，多晶砷化擦，擦鋁砷–砷化擦異質結，金屬半導體砷化鎊，金屬絕緣體–半導體砷化密太陽電池等。

銅銦硒薄膜太陽能電池

銅錮硒CuInSe2簡稱CIC.CIS材料的能降為1.1eV，適于太陽光的光電轉換，另外，CIS薄膜太陽電池不存在光致衰退問題。因此，CIS用作高轉換效率薄膜太陽能電池材料也引起了人們的注目。

CIS電池薄膜的制備主要有真空蒸鍍法和硒化法。真空蒸鍍法是采用各自的蒸發源蒸鍍銅，錮和硒，硒化法是使用H2Se疊層膜硒化，但該法難以得到組成均勻的CIS。CIS薄膜電池從80年代最初8%的轉換效率發展到目前的15%左右。日本松下電氣工業公司開發的摻鎊的CIS電池，其光電轉換效率為15.3%（面積1cm2）。1995年美國可再生能源研究室研制出轉換效率17.1%的CIS太陽能電池，這是迄今為止世界上該電池的最高轉換效率。預計到2000年CIS電池的轉換效率將達到20%，相當于多晶硅太陽能電池。CIS作為太陽能電池的半導體材料，具有價格低廉，性能良好和工藝簡單等優點，將成為今后發展太陽能電池的一個重要方向。唯一的問題是材料的來源，由于錮和硒都是比較稀有的元素，因此，這類電池的發展又必然受到限制。

確化鎘太陽能電池

cdTe是IⅡ-VI族化合物半導體，帶隙1.5eV，與太陽光譜非常匹配，最適合于光電能量轉換，是一種良好的PV材料，具有很高的理論效率（28%），性能很穩定，一直被光伏界看重，是技術上發展較快的一種薄膜電池。確化鎘容易沉積成大面積的薄膜，沉積速率也高。cdTe薄膜太陽電池通常以Cds/CdTe異質結為基礎。盡管Cds和cdTe和晶格常數相差10%，但它們組成的異質結電學性能優良，制成的太陽電池的填充因子高達FF=0.75制備CdTe多晶薄膜的多種工藝和技術已經開發出來，如近空間升華、電沉積、PVD、CVD、CBD、絲網印刷、濺射、真空蒸發等。絲網印刷燒結法：由含CdTe、Cds漿料進行絲網印刷CdTe、Cds膜，然后在600~700℃可控氣氛下進行熱處理1h得大晶粒薄膜。近空間升華法：采用玻璃作襯底，襯底溫度500~600℃，沉積速率10um/min.真空蒸發法：將CdTe從約700℃加熱鉗鍋中升華，冷凝在300~400℃襯底上，典型沉積速率1nm/s.以cdTe吸收層，CdS作窗口層半導體異質結電池的典型結構：減反射膜/玻璃/（Sn02：F）/Cds/P-cdTe/背電極。電池的實驗室效率不斷攀升，最近突16%。20世紀90年代初，CdTe電池已實現了規模化生產，但市場發展緩慢，市場份額一直徘徊在1%左右。商業化電池效率平均為8%-10%。